工業(yè)生產(chǎn)過程中的品質(zhì)控制，高壓隔離開關(guān)觸頭鍍銀層檢測儀，銅鍍銀，鍍錫等厚度快速測試，同時滿足金屬成分的元素分析。K-8000T鍍層厚度分析儀*無損檢測作為生產(chǎn)過程中的品質(zhì)控制與管理，確保材料品質(zhì)；船舶制造、航空航天等高技術(shù)行業(yè)中合金成分的識別，從而保障產(chǎn)品質(zhì)量與安全；電力電站等有關(guān)國計民生行業(yè)中，鑒定設(shè)備零部件成分是否達標(biāo)，保證設(shè)備安全。

    隔離開關(guān)觸頭作為高壓配電設(shè)備中的重要電子電力器件，其中隔離開關(guān)觸頭上的鍍銀層，有耐磨耐腐蝕的性，能降低接觸電阻，需如果用不鍍銀的銅觸頭，銅觸頭經(jīng)過氧化后電阻會明顯增加，就會產(chǎn)生電弧燒蝕觸點的可能，而使用銅鍍銀觸頭就可以大大減少電弧燒蝕觸點的可能。所以按照*電網(wǎng)公司“關(guān)于高壓隔離開關(guān)訂貨的有關(guān)規(guī)定”的要求，高壓隔離開關(guān)主觸頭：鍍銀層厚度應(yīng)不小于20um，一般觸頭鍍銀層厚度應(yīng)不小于8um，硬度應(yīng)不小于120韋氏。高壓隔離開關(guān)主觸頭鍍銀層也是驗收設(shè)備的重要指標(biāo)。

高低壓配電柜

    而對于電鍍廠家來說，電鍍鍍銀的成本里多的就是貴金屬銀的使用量，所以鍍層越厚，對電鍍廠家的成本越高，所以一部分不良電鍍廠家，就對電鍍鍍銀厚度采用以次充好，以薄充厚，嚴重影響了高壓配電設(shè)備的驗收工作，甚至使的一部分高壓配電設(shè)備廠家被國網(wǎng)一而再，再而三的被通報不良產(chǎn)品，輕則被禁止半年到兩年的國網(wǎng)系統(tǒng)招標(biāo)資格，重則直接被國網(wǎng)招標(biāo)拉入黑名單。

目前，隔離開關(guān)觸頭鍍銀層厚度測量方法主要用手持X射線射線鍍層厚度分析儀現(xiàn)場測試和X射線臺式鍍層測厚儀測試。

      隔離開關(guān)觸頭鍍銀層測厚儀，是一種X射線光譜儀，通過X射線對對銀層的照射后然后的X熒光，可以分析檢測出開關(guān)觸頭上鍍銀層厚度的儀器，儀器分為手持式和臺式兩種，都可以快速、無損的通過照射幾十秒就可以測出鍍銀層的厚度，方便、快捷是電力設(shè)備生產(chǎn)廠家和電鍍及表面處理企業(yè)對產(chǎn)品鍍層厚度檢測的重要儀器。

K-8000T鍍層厚度分析儀手持式鍍層測厚分析儀配有專門針對鍍層厚度分析的*應(yīng)用軟件，具有智能化、高靈敏度、測試時間短、自動判斷是否標(biāo)、操作簡易、可實現(xiàn)邊測邊打功能等特點。全新的智能軟件，一鍵智能操作檢測合金成分和鍍層厚度；

K-8000T鍍層厚度分析儀合金分析儀也可快速檢測并鑒別出各種金屬的種類、含量以及雜質(zhì)成分；能快速檢測并鑒別出各種高低合金鋼、不銹鋼、工具鋼、鉻/鉬鋼、鎳合金、鈷合金、鎳/鈷耐熱合金、鈦合金等各種金屬的牌號及元素含量；儀器預(yù)裝多基體標(biāo)準(zhǔn)合金庫，合金庫中包括400余種合*號，用戶也可自己建立合*號庫。

功能如下：

（1）智能識別基材種類的功能:立足于為用戶快速實現(xiàn)投資回報，提高生產(chǎn)率，自動識別基材種類，無需手動選擇樣品類型，然后再測試；降低操作難度，節(jié)省測試時間，不管操作人員是否有經(jīng)驗，都可以在幾秒鐘內(nèi)獲得合金甚至是鋁合金的牌號。

（2）完善的合金數(shù)據(jù)庫: K系列合金分析儀配有完善的合金數(shù)據(jù)庫，標(biāo)準(zhǔn)牌號庫包括500多種的合*號，用戶可以輕易添加客戶的元素和牌號。

（3）檢測范圍廣:*的輕元素分析功能，可以快速準(zhǔn)確的分析常規(guī)金屬元素Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Se, Y, Zr, Nb, Mo, W, Ta, Hf, Re, Au, Pb, Bi, Ru,  Pd, Ag, Cd, Sn, Sb等。

鍍層厚度分析方法：能量色散X射線熒光分析方法

測量鍍層范圍：0-50um

檢測鍍層種類：銅鍍銀、銅鍍錫

分析精度：單層電鍍相對誤差不過10%

檢測時間：15-20秒

檢測窗口：12mm

合金測試元素范圍：Ti，V，Cr，Mn，F(xiàn)e，Co，Ni，Cu，Zn，Hf，Ta，W，Re，Pb，Bi，Zr，Nb，Mo，Cd，Sn，Sb等23元素

儀器參數(shù)：

1、激發(fā)源：大功率微型直板電子X射線管，激發(fā)電壓為35kV；無高壓電纜、無射頻噪聲、更好的X射線屏蔽、更好的散熱。

     固定電壓35kV,電流100uA（美國Moxtek),標(biāo)配Ag靶，無電機、1個濾光片

2、探測器：Si-pin探測器(6 mm2 能量分辨率190eV FWHM)

3、運算方法：KMX-FP無標(biāo)樣測試法

4、標(biāo)配1個電池