ZK系列可控硅電壓調(diào)整器
一、適用范圍 ????ZK系列可控電壓調(diào)整器XCT一1?9?x?1/2,??XFT一1?9?x?1/2,??TA一09?x?1/2,TE一090?x?1/2,XTM一290x1/2,F(xiàn)ESA一890x1/2等儀表及≤KP一200A(三相為600A)的可控硅元件配合,能作為單相或三相的電壓功率調(diào)整,從而對(duì)電阻爐(或感應(yīng)式加熱爐)的爐溫進(jìn)行自動(dòng)控制。起調(diào)節(jié)精度高,抗干擾能力強(qiáng)。為適應(yīng)技術(shù)發(fā)展和市場(chǎng)需要,方便用戶(hù)該系列均有改進(jìn)型產(chǎn)品。改進(jìn)后的zk系列儀表采用集成電路,使儀表的觸發(fā)脈沖的幅值、寬度、導(dǎo)通角均有所增加,提高了儀表的可靠性,使應(yīng)用面更加廣泛。 ZK—1單相移相觸發(fā)ZK-03三相過(guò)零觸發(fā)(大功率電阻爐)注:ZK一19pZK一50ZK一100ZK一200ZK-03為三相半控其改進(jìn)型為半控或全控。
三、主要技術(shù)指標(biāo) 1、外殼型式:儀表盤(pán)式。 2、輸入信號(hào):O—1mA直流。 3、輸出信號(hào)(移相觸發(fā)脈沖): ????ZK—1型:幅值不小于50mA,寬度大于25uS。 ????ZK—100、ZK—200型:幅值不小于200mA,寬度大于35uS。 4、移相角度:每交流半周間不小于150‘。 5、工作環(huán)境:溫度0-50℃,相對(duì)濕度不過(guò)85%。 6、電????源:交流220V110%,50周。 7、功率消耗:小于4伏安。 8、配用可控硅規(guī)格: ????ZK一1型:3CT一20A/500V。 ????或3CT—50A/500V。 ????3CT—100A/600V。 ????3CT—200A/600V。 9、外形尺寸:160x80x272(毫米)。 ?
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ZK系列可控硅電壓調(diào)整器
一、適用范圍
????ZK系列可控電壓調(diào)整器XCT一1?9?x?1/2,??XFT一1?9?x?1/2,??TA一09?x?1/2,TE一090?x?1/2,XTM一290x1/2,F(xiàn)ESA一890x1/2等儀表及≤KP一200A(三相為600A)的可控硅元件配合,能作為單相或三相的電壓功率調(diào)整,從而對(duì)電阻爐(或感應(yīng)式加熱爐)的爐溫進(jìn)行自動(dòng)控制。起調(diào)節(jié)精度高,抗干擾能力強(qiáng)。為適應(yīng)技術(shù)發(fā)展和市場(chǎng)需要,方便用戶(hù)該系列均有改進(jìn)型產(chǎn)品。改進(jìn)后的zk系列儀表采用集成電路,使儀表的觸發(fā)脈沖的幅值、寬度、導(dǎo)通角均有所增加,提高了儀表的可靠性,使應(yīng)用面更加廣泛。
ZK—1單相移相觸發(fā)ZK-03三相過(guò)零觸發(fā)(大功率電阻爐)注:ZK一19pZK一50ZK一100ZK一200ZK-03為三相半控其改進(jìn)型為半控或全控。
三、主要技術(shù)指標(biāo)
1、外殼型式:儀表盤(pán)式。
2、輸入信號(hào):O—1mA直流。
3、輸出信號(hào)(移相觸發(fā)脈沖):
????ZK—1型:幅值不小于50mA,寬度大于25uS。
????ZK—100、ZK—200型:幅值不小于200mA,寬度大于35uS。
4、移相角度:每交流半周間不小于150‘。
5、工作環(huán)境:溫度0-50℃,相對(duì)濕度不過(guò)85%。
6、電????源:交流220V110%,50周。
7、功率消耗:小于4伏安。
8、配用可控硅規(guī)格:
????ZK一1型:3CT一20A/500V。
????或3CT—50A/500V。
????3CT—100A/600V。
????3CT—200A/600V。
9、外形尺寸:160x80x272(毫米)。
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